亚洲国产精品无码成人片久久,上司人妻互换HD无码中文,国产成人无码aⅴ片在线观看}

隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產(chǎn)業(yè)化階段

，對新一代半導體材料的探討已經(jīng)進入大眾視野

。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關注的氧化鎵

、金剛石

、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向

。從帶隙寬度來看

，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵

、金剛石

、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。新一代半導體材料

，將一路向?qū)?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">，還是一路向窄？

超寬禁帶半導體：

“上天入?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">！?div id="jfovm50" class="index-wrap">，適用范圍廣泛

禁帶的寬度決定了電子躍遷的難度，是半導體的導電性的決定因素之一

。禁帶越寬

，半導體材料越接近絕緣體

，器件穩(wěn)定性越強

，因而超寬禁帶半導體能應用于高溫、高功率

、高頻率以及較耐輻照等特殊環(huán)境

。

“硅器件工作溫度范圍相對有限，而超寬禁帶半導體可謂‘上天下?div id="jfovm50" class="index-wrap">！?div id="jfovm50" class="index-wrap">，適應范圍非常寬廣?div id="jfovm50" class="index-wrap">！敝袊茖W院半導體研究所研究員閆建昌向《中國電子報》記者表示

。

在光電子領域，超寬禁帶半導體在紫外發(fā)光

、紫外探測有著廣闊的應用空間?div id="jfovm50" class="index-wrap">；诘X鎵等超寬禁帶半導體的紫外發(fā)光二極管和紫外激光二極管應用于殺菌消毒等醫(yī)療衛(wèi)生領域

，特定波長的紫外線能幫助人體補鈣。在工業(yè)上

，超寬禁帶可用于制造大功率的紫外光源

。

在超寬禁帶半導體中，氮化鋁鎵（氮化鋁和氮化鎵的合金材料）

、氧化鎵

、金剛石是較有代表性的幾個方向

。

與氧化鎵

、金剛石等禁帶寬度相對固定的材料不同

，氮化鋁鎵的禁帶寬度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)

，是一種靈活的半導體材料

。

“通過調(diào)節(jié)鋁的組份，氮化鋁鎵可以實現(xiàn)不同的禁帶寬度

，范圍在氮化鎵的3.4 eV到氮化鋁的6 eV之間

。通過合適的比例，可以獲得特定的禁帶寬度

，發(fā)射相應波長的紫外線

，這是一個有趣也有用的屬性

?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">！遍Z建昌表示。

在制備技術方面

，氮化鋁鎵已經(jīng)具備了一定的積累

。

“氮化鎵和氮化鋁外延制備的主流方法是MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積），在工藝

、設備等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)已經(jīng)有了二三十年的積累

。氮化鋁鎵作為氮化鎵、氮化鋁的合金材料

，在外延制備上與兩者有很多相通之處

，產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)開始起步，預計在接下來的3—5年

，會具備規(guī)模化量產(chǎn)的水準

?div id="jfovm50" class="index-wrap">！遍Z建昌向記者指出。

氧化鎵相比寬禁帶半導體具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率

。目前

，氧化鎵材料制備水平進展較快，但是外延

、器件方面還有很多工作要做

。

“氧化鎵的禁帶寬度比氮化鎵、碳化硅等更寬

，功率可以做得更高

，也更加省電。氧化鎵的制備條件比較苛刻

，目前外延材料以2-3寸的小尺寸為主，量產(chǎn)和應用還有一段路要走

?div id="m50uktp" class="box-center"> ！?西安電子科技大學郭輝副教授向《中國電子報》記者表示

。

閆建昌指出，散熱能力不足是氧化鎵的弊端

，如何繞開這個弊端的話

，去充分發(fā)揮它在功率器件的優(yōu)勢，是值得關注的發(fā)展方向

。

金剛石被視為“終極半導體”材料

，具有超寬禁帶、高導熱系數(shù)

、高硬度的特點

。但也由于硬度最高

，實現(xiàn)半導體級別的高純凈度也最為困難

，與產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化還有相當?shù)木嚯x

。

“金剛石難以實現(xiàn)半導體級別的制備和摻雜

，但我們可以利用類金剛石或者金剛石顆粒去改善半導體器件的散熱，把金剛石自身的優(yōu)勢和長處先發(fā)揮出來

?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">！遍Z建昌說。

窄禁帶半導體：

繼續(xù)拓展光譜范圍

，集中應用在紅外光

與超寬禁帶半導體相反

，銻化物等窄禁帶半導體具有高遷移率、導電性強的特點

，應用領域也集中在紅外線，與超寬禁帶應用的紫外線正好分布在光譜兩端

?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">？梢哉f，超寬禁帶和窄禁帶半導體拓展了人類對光譜的利用范圍

。

在光電子領域

，銻化物材料體系有希望成為未來紅外成像系統(tǒng)的主要材料體系。據(jù)中科院半導體研究所教授牛智川介紹

，傳統(tǒng)紅外光電材料由于均勻性不足

、基片面積小、良率極低等瓶頸

，難以實現(xiàn)大陣列

、雙色、多色焦平面以及甚遠紅外焦平面的制造。

“銻化物在具有高性能的前提下

，帶隙調(diào)控適用范圍更廣、成本更低

、制造規(guī)模更大

，銻化鎵基半導體外延材料技術已經(jīng)成長為紅外光電器件制造的主流

?div id="m50uktp" class="box-center"> ！迸Ｖ谴ㄏ颉吨袊娮訄蟆酚浾弑硎尽?/p>

在微電子領域

，銻化物半導體具有超過前三代半導體體系的超高速遷移率

，在發(fā)展超低功耗超高速微電子集成電路器件方面潛力重大。

在熱電器件領域

，含銻元素的各類晶體材料具有優(yōu)良的熱電和制冷效應

，是長期以來熱電制冷器件領域的重要技術方向，具有廣闊的應用前景

。

在制備方面，銻化物窄帶隙半導體與砷化鎵

、磷化銦等III-V族體系的結(jié)構特性

、制備工藝類似或兼容，因此不存在量產(chǎn)技術的障礙

，其制備成本主要受單晶襯底晶圓面積

、外延材料量產(chǎn)容量、工藝集成技術良率的制約

。

“隨著功能器件需求放大

，基于銻化物的激光器和探測器制造已經(jīng)在量產(chǎn)方面獲得了充分的驗證，在光電子功能的各類應用領域制造規(guī)模逐步擴大

，已經(jīng)具備量產(chǎn)條件

。”牛智川指出

。

下一代半導體：

越走越“寬”還是越“窄”

？

新一代半導體材料是產(chǎn)業(yè)變革的基石

。從以硅為代表的第一代半導體材料

，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料

，以氮化鎵

、碳化硅為代表的第三代半導體材料，半導體器件的工作范圍和適用場景不斷拓展，為信息社會的發(fā)展提供有力支撐

。

分享到:

上一篇：半導體芯片全景深度梳理下一篇：芯片新局面：第三代半導體迎來新機遇

返回列表

，一路向?/a> 半導體芯片全景深度梳理芯片新局面：第三代半導體迎來新機遇

相關鏈接

公司新聞行業(yè)資訊

關于我們

產(chǎn)品及服務

服務支持

新聞資訊

聯(lián)系我們

關注微信公眾號

工作時間（周一到周五）8:30-17:300510-68186318

在線咨詢
客服熱線

0510-68186318

服務熱線（8:30-17:30）
官方微信
返回頂部

日本高清在线视频无码,92午夜福利757视频在线观看,成片免费观看视频潢片,国产丰满老熟妇乱XXX,大肉大捧一进一出好爽视频,一本道高无码欧美在线专区,日本无码不遮挡又黄大尺度电影,亚国产亚洲亚洲精品视频,麻豆精品一区综合AV在线,无套内射视频囯产,亚洲国产精品一区二区手机,亚洲最大AV无码网址,国内精品乱码卡一卡2卡三卡,国内精品乱码卡一卡2卡三卡,亚洲精品无码苍井空A片,日本理伦少妇4做爰

首頁

關于我們

關于我們

產(chǎn)品及服務

氮化鎵（GaN）激光器紫外系列

氮化鎵（GaN）激光器藍光系列

氮化鎵（GaN）激光器綠光系列

砷化鎵（GaAs）激光器紅光系列

砷化鎵（GaAs）激光器紅外系列

磷化銦（InP）激光器短波紅外系列

脈沖激光器系列

封測設備

紅外激光照明模組

新聞資訊

公司新聞

行業(yè)資訊

服務支持

服務中心

下載中心

聯(lián)系我們

下一代半導體：一路向?qū)?div id="d48novz" class="flower left">

關于我們

產(chǎn)品及服務

服務支持

新聞資訊

聯(lián)系我們

0510-68186318

服務熱線（8:30-17:30）